RP1E125XNTR
RP1E125XNTR
Số Phần:
RP1E125XNTR
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12324 Pieces
Bảng dữliệu:
RP1E125XNTR.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RP1E125XNTR, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RP1E125XNTR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RP1E125XNTR với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:MPT6
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:12 mOhm @ 12.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-SMD, Flat Leads
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:RP1E125XNTR
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:12.7nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 12.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:12.5A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận