RUR040N02TL
RUR040N02TL
Số Phần:
RUR040N02TL
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15504 Pieces
Bảng dữliệu:
RUR040N02TL.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RUR040N02TL, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RUR040N02TL qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RUR040N02TL với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.3V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±10V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TSMT3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:35 mOhm @ 4A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):1W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-96
Vài cái tên khác:RUR040N02TLTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:RUR040N02TL
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:680pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 20V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận