S1JHE3_A/I
S1JHE3_A/I
Số Phần:
S1JHE3_A/I
nhà chế tạo:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13826 Pieces
Bảng dữliệu:
S1JHE3_A/I.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho S1JHE3_A/I, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho S1JHE3_A/I qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua S1JHE3_A/I với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.1V @ 1A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):600V
Gói thiết bị nhà cung cấp:DO-214AC (SMA)
Tốc độ:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Loạt:-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):1.8µs
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:DO-214AC, SMA
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-55°C ~ 150°C
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:26 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:S1JHE3_A/I
Mô tả mở rộng:Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:1µA @ 600V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):1A
Dung @ VR, F:12pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận