SBC856BWT1G
SBC856BWT1G
Số Phần:
SBC856BWT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12097 Pieces
Bảng dữliệu:
SBC856BWT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SBC856BWT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SBC856BWT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SBC856BWT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):65V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:650mV @ 5mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-70-3 (SOT323)
Loạt:-
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-70, SOT-323
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:22 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SBC856BWT1G
Tần số - Transition:100MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 65V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Sự miêu tả:TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:220 @ 2mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):15nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận