SCT3030KLGC11
SCT3030KLGC11
Số Phần:
SCT3030KLGC11
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13930 Pieces
Bảng dữliệu:
SCT3030KLGC11.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SCT3030KLGC11, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SCT3030KLGC11 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SCT3030KLGC11 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5.6V @ 13.3mA
Vgs (Tối đa):+22V, -4V
Công nghệ:SiCFET (Silicon Carbide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247N
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:39 mOhm @ 27A, 18V
Điện cực phân tán (Max):339W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động:175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:18 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SCT3030KLGC11
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2222pF @ 800V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:131nC @ 18V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1200V (1.2kV) 72A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):18V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1200V (1.2kV)
Sự miêu tả:MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:72A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận