SI1553DL-T1-GE3
Số Phần:
SI1553DL-T1-GE3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15873 Pieces
Bảng dữliệu:
SI1553DL-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI1553DL-T1-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI1553DL-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI1553DL-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:600mV @ 250µA (Min)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-70-6 (SOT-363)
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:385 mOhm @ 660mA, 4.5V
Power - Max:270mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vài cái tên khác:SI1553DL-T1-GE3TR
SI1553DLT1GE3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SI1553DL-T1-GE3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:1.2nC @ 4.5V
Loại FET:N and P-Channel
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array N and P-Channel 20V 660mA, 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:660mA, 410mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận