Mua SI2331DS-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | SOT-23-3 (TO-236) |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 48 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Điện cực phân tán (Max): | 710mW (Ta) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Số phần của nhà sản xuất: | SI2331DS-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 780pF @ 6V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
Loại FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | P-Channel 12V 3.2A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 12V |
Sự miêu tả: | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 3.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |