Mua SI3429EDV-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Tối đa): | ±8V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | 6-TSOP |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 21 mOhm @ 4A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 4.2W (Tc) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vài cái tên khác: | SI3429EDV-T1-GE3TR |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 24 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | SI3429EDV-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 4085pF @ 50V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
Loại FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | P-Channel 20V 8A (Ta), 8A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 20V |
Sự miêu tả: | MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 8A (Ta), 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |