Mua SI3451DV-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | 6-TSOP |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Điện cực phân tán (Max): | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Số phần của nhà sản xuất: | SI3451DV-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 10V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.1nC @ 5V |
Loại FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 20V |
Sự miêu tả: | MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |