SI3499DV-T1-GE3
SI3499DV-T1-GE3
Số Phần:
SI3499DV-T1-GE3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17256 Pieces
Bảng dữliệu:
SI3499DV-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI3499DV-T1-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI3499DV-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI3499DV-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:750mV @ 250µA
Vgs (Tối đa):±5V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:6-TSOP
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:23 mOhm @ 7A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):1.1W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vài cái tên khác:SI3499DV-T1-GE3-ND
SI3499DV-T1-GE3TR
SI3499DVT1GE3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:15 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SI3499DV-T1-GE3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):8V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.3A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận