SI3585DV-T1-E3
SI3585DV-T1-E3
Số Phần:
SI3585DV-T1-E3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17086 Pieces
Bảng dữliệu:
SI3585DV-T1-E3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI3585DV-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI3585DV-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI3585DV-T1-E3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:600mV @ 250µA (Min)
Gói thiết bị nhà cung cấp:6-TSOP
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power - Max:830mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vài cái tên khác:SI3585DV-T1-E3TR
SI3585DVT1E3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SI3585DV-T1-E3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:3.2nC @ 4.5V
Loại FET:N and P-Channel
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2A, 1.5A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:2A, 1.5A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận