Mua SI4102DY-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Tối đa): | ±20V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | 8-SO |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 158 mOhm @ 2.7A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vài cái tên khác: | SI4102DY-T1-GE3TR SI4102DYT1GE3 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 24 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | SI4102DY-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 370pF @ 50V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 100V 3.8A (Tc) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 100V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 3.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |