Mua SI4276DY-T1-E3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
SI4276DY-T1-E3
- Số Phần:
- SI4276DY-T1-E3
- nhà chế tạo:
- Vishay / Siliconix
- Sự miêu tả:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 13449 Pieces
- Bảng dữliệu:
- SI4276DY-T1-E3.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho SI4276DY-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI4276DY-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 8-SO |
| Loạt: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Power - Max: | 3.6W, 2.8W |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Số phần của nhà sản xuất: | SI4276DY-T1-E3 |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 1000pF @ 15V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| Loại FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Mô tả mở rộng: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 30V |
| Sự miêu tả: | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 8A |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho SI4276DY-T1-E3
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
NTLJD4150PTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN | Tin nhắn của bạn |
 |
SI4276DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | Tin nhắn của bạn |
 |
APTM120VDA57T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | Tin nhắn của bạn |
 |
SSM6N15AFE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 | Tin nhắn của bạn |
|
APTC60TAM21SCTPAG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P | Tin nhắn của bạn |
 |
DMN3018SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO | Tin nhắn của bạn |
 |
MCH6662-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6 | Tin nhắn của bạn |
|
SI6969DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP | Tin nhắn của bạn |
 |
NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET | Tin nhắn của bạn |
 |
QJD1210SB1 | Powerex Inc. | MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC | Tin nhắn của bạn |
 |
UM6K33NTN | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog