Mua SI4438DY-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 250µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | 8-SO |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 2.7 mOhm @ 20A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Số phần của nhà sản xuất: | SI4438DY-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 4645pF @ 15V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 126nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 30V 36A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 30V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
Email: | [email protected] |