Mua SI4466DY-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | 8-SO |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 9 mOhm @ 13.5A, 4.5V |
Điện cực phân tán (Max): | 1.5W (Ta) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Số phần của nhà sản xuất: | SI4466DY-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 4.5V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 20V 9.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 20V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |