SI4808DY-T1-E3
Số Phần:
SI4808DY-T1-E3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13501 Pieces
Bảng dữliệu:
SI4808DY-T1-E3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI4808DY-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI4808DY-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI4808DY-T1-E3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA (Min)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, VGS:22 mOhm @ 7.5A, 10V
Power - Max:1.1W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SI4808DY-T1-E3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.7A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận