SI5858DU-T1-GE3
SI5858DU-T1-GE3
Số Phần:
SI5858DU-T1-GE3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19365 Pieces
Bảng dữliệu:
SI5858DU-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI5858DU-T1-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI5858DU-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI5858DU-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PowerPAK® ChipFet Dual
Loạt:LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, VGS:39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:PowerPAK® ChipFET™ Dual
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SI5858DU-T1-GE3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 8V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Schottky Diode (Isolated)
Mô tả mở rộng:N-Channel 20V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận