SI6433BDQ-T1-E3
Số Phần:
SI6433BDQ-T1-E3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19044 Pieces
Bảng dữliệu:
SI6433BDQ-T1-E3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI6433BDQ-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI6433BDQ-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI6433BDQ-T1-E3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-TSSOP
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:40 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):1.05W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vài cái tên khác:SI6433BDQ-T1-E3TR
SI6433BDQT1E3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SI6433BDQ-T1-E3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 12V 4A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Xả để nguồn điện áp (Vdss):12V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận