Mua SI7485DP-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 1mA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | PowerPAK® SO-8 |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V |
Điện cực phân tán (Max): | 1.8W (Ta) |
Bao bì: | Original-Reel® |
Gói / Case: | PowerPAK® SO-8 |
Vài cái tên khác: | SI7485DP-T1-GE3DKR |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Số phần của nhà sản xuất: | SI7485DP-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 5V |
Loại FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | P-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 20V |
Sự miêu tả: | MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8 |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 12.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |