Mua SI7882DP-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | PowerPAK® SO-8 |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V |
Điện cực phân tán (Max): | 1.9W (Ta) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | PowerPAK® SO-8 |
Vài cái tên khác: | SI7882DP-T1-GE3TR SI7882DPT1GE3 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Số phần của nhà sản xuất: | SI7882DP-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 4.5V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 12V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 12V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8 |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 13A (Ta) |
Email: | [email protected] |