Mua SI8435DB-T1-E1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | 4-Microfoot |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 41 mOhm @ 1A, 4.5V |
Điện cực phân tán (Max): | 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | 4-XFBGA, CSPBGA |
Vài cái tên khác: | SI8435DB-T1-E1TR |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Số phần của nhà sản xuất: | SI8435DB-T1-E1 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 10V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 5V |
Loại FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | P-Channel 20V 10A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 20V |
Sự miêu tả: | MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
Email: | [email protected] |