Mua SI8809EDB-T2-E1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | 4-Microfoot |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Điện cực phân tán (Max): | 500mW (Ta) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | 4-XFBGA |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 24 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | SI8809EDB-T2-E1 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 8V |
Loại FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | P-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 20V |
Sự miêu tả: | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |