Mua SIA427ADJ-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
---|---|
Vgs (Tối đa): | ±5V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
Điện cực phân tán (Max): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | PowerPAK® SC-70-6 |
Vài cái tên khác: | SIA427ADJ-T1-GE3-ND SIA427ADJ-T1-GE3TR |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 24 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | SIA427ADJ-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 2300pF @ 4V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 5V |
Loại FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | P-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 8V |
Sự miêu tả: | MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70 |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |