Mua SIA519EDJ-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
SIA519EDJ-T1-GE3
- Số Phần:
- SIA519EDJ-T1-GE3
- nhà chế tạo:
- Vishay / Siliconix
- Sự miêu tả:
- MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 18449 Pieces
- Bảng dữliệu:
- SIA519EDJ-T1-GE3.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho SIA519EDJ-T1-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SIA519EDJ-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Loạt: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Power - Max: | 7.8W |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vài cái tên khác: | SIA519EDJ-T1-GE3TR SIA519EDJT1GE3 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 24 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | SIA519EDJ-T1-GE3 |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 10V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Loại FET: | N and P-Channel |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Mô tả mở rộng: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 20V |
| Sự miêu tả: | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho SIA519EDJ-T1-GE3
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
NTL4502NT1 | ON Semiconductor | MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN | Tin nhắn của bạn |
 |
PMDXB600UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | Tin nhắn của bạn |
 |
SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Tin nhắn của bạn |
 |
ZXMD65P02N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | Tin nhắn của bạn |
 |
SI4539ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC | Tin nhắn của bạn |
 |
VEC2415-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 | Tin nhắn của bạn |
|
SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | Tin nhắn của bạn |
 |
IRF7901D1TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC | Tin nhắn của bạn |
 |
NTJD2152PT4G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | Tin nhắn của bạn |
|
SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | Tin nhắn của bạn |
 |
FDZ2553NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA | Tin nhắn của bạn |
 |
SI7218DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog