Mua SIDC09D60E6 UNSAWN với BYCHPS
Mua với đảm bảo
SIDC09D60E6 UNSAWN
- Số Phần:
- SIDC09D60E6 UNSAWN
- nhà chế tạo:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Sự miêu tả:
- DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Chứa chì / RoHS không tuân thủ
- Số lượng có sẵn:
- 13072 Pieces
- Bảng dữliệu:
- SIDC09D60E6 UNSAWN.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho SIDC09D60E6 UNSAWN, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SIDC09D60E6 UNSAWN qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu: | 1.7V @ 20A |
|---|---|
| Voltage - DC Xếp (VR) (Max): | 600V |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | Sawn on foil |
| Tốc độ: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Loạt: | - |
| Xếp Thời gian phục hồi (TRR): | 150ns |
| Bao bì: | Bulk |
| Gói / Case: | Die |
| Vài cái tên khác: | SIDC09D60E6UNSAWN SP000012547 |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Số phần của nhà sản xuất: | SIDC09D60E6 UNSAWN |
| Mô tả mở rộng: | Diode Standard 600V 20A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| Loại diode: | Standard |
| Sự miêu tả: | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER |
| Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR: | 27µA @ 600V |
| Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io): | 20A (DC) |
| Dung @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho SIDC09D60E6 UNSAWN
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
SIDC03D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER | Tin nhắn của bạn |
|
SIDC09D60E6Y | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Tin nhắn của bạn |
|
SIDC09D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Tin nhắn của bạn |
|
SIDC04D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER | Tin nhắn của bạn |
|
SIDC06D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Tin nhắn của bạn |
|
SIDC01D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER | Tin nhắn của bạn |
|
SIDC09D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | Tin nhắn của bạn |
|
SIDC03D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER | Tin nhắn của bạn |
|
SIDC08D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER | Tin nhắn của bạn |
|
SIDC03D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER | Tin nhắn của bạn |
|
SIDC03D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog