Mua SIHJ6N65E-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Tối đa): | ±30V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | PowerPAK® SO-8 |
Loạt: | - |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 868 mOhm @ 3A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 74W (Tc) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | PowerPAK® SO-8 |
Vài cái tên khác: | SIHJ6N65E-T1-GE3TR |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 14 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | SIHJ6N65E-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 596pF @ 100V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 650V 5.6A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 650V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 5.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |