Mua SIHP21N65EF-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Tối đa): | ±20V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-220AB |
Loạt: | - |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 208W (Tc) |
Bao bì: | Tube |
Gói / Case: | TO-220-3 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Through Hole |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 22 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | SIHP21N65EF-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 2322pF @ 100V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 106nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 650V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 650V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
Email: | [email protected] |