SIHU3N50D-GE3
SIHU3N50D-GE3
Số Phần:
SIHU3N50D-GE3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19520 Pieces
Bảng dữliệu:
1.SIHU3N50D-GE3.pdf2.SIHU3N50D-GE3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SIHU3N50D-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SIHU3N50D-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SIHU3N50D-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-251
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):69W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:14 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SIHU3N50D-GE3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:175pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-251
Xả để nguồn điện áp (Vdss):500V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận