SIS902DN-T1-GE3
SIS902DN-T1-GE3
Số Phần:
SIS902DN-T1-GE3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15994 Pieces
Bảng dữliệu:
SIS902DN-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SIS902DN-T1-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SIS902DN-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SIS902DN-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:PowerPAK® 1212-8 Dual
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:186 mOhm @ 3A, 10V
Power - Max:15.4W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:PowerPAK® 1212-8 Dual
Vài cái tên khác:SIS902DN-T1-GE3TR
SIS902DNT1GE3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SIS902DN-T1-GE3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:175pF @ 38V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 10V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Standard
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 4A 15.4W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Xả để nguồn điện áp (Vdss):75V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận