SMSD602-RT1G
SMSD602-RT1G
Số Phần:
SMSD602-RT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 50V 0.5A SC59-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14343 Pieces
Bảng dữliệu:
SMSD602-RT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SMSD602-RT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SMSD602-RT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SMSD602-RT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 30mA, 300mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-59-3
Loạt:-
Power - Max:200mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nhiệt độ hoạt động:-
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SMSD602-RT1G
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 200mW Surface Mount SC-59-3
Sự miêu tả:TRANS NPN 50V 0.5A SC59-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:120 @ 150mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận