SPB12N50C3
SPB12N50C3
Số Phần:
SPB12N50C3
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16205 Pieces
Bảng dữliệu:
SPB12N50C3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SPB12N50C3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPB12N50C3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPB12N50C3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 500µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO263-3-2
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:380 mOhm @ 7A, 10V
Điện cực phân tán (Max):125W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:SP000014894
SPB12N50C3-ND
SPB12N50C3ATMA1
SPB12N50C3INTR
SPB12N50C3XT
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SPB12N50C3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 560V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):560V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:11.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận