SPB35N10
SPB35N10
Số Phần:
SPB35N10
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
18483 Pieces
Bảng dữliệu:
SPB35N10.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SPB35N10, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPB35N10 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPB35N10 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 83µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO263-3-2
Loạt:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, VGS:44 mOhm @ 26.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):150W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:SPB35N10INTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SPB35N10
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1570pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận