SPB80N06S2-H5
SPB80N06S2-H5
Số Phần:
SPB80N06S2-H5
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
16687 Pieces
Bảng dữliệu:
SPB80N06S2-H5.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SPB80N06S2-H5, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPB80N06S2-H5 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPB80N06S2-H5 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 230µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO263-3-2
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:5.5 mOhm @ 80A, 10V
Điện cực phân tán (Max):300W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:SP000013795
SPB80N06S2H5T
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SPB80N06S2-H5
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Xả để nguồn điện áp (Vdss):55V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận