SPD04P10PGBTMA1
SPD04P10PGBTMA1
Số Phần:
SPD04P10PGBTMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17529 Pieces
Bảng dữliệu:
SPD04P10PGBTMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SPD04P10PGBTMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPD04P10PGBTMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPD04P10PGBTMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 380µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3
Loạt:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, VGS:1 Ohm @ 2.8A, 10V
Điện cực phân tán (Max):38W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:14 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SPD04P10PGBTMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:319pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 100V 4A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận