SPD15P10PGBTMA1
SPD15P10PGBTMA1
Số Phần:
SPD15P10PGBTMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13447 Pieces
Bảng dữliệu:
SPD15P10PGBTMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SPD15P10PGBTMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPD15P10PGBTMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPD15P10PGBTMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 1.54mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3
Loạt:Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, VGS:240 mOhm @ 10.6A, 10V
Điện cực phân tán (Max):128W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:SP000212233
SPD15P10P G
SPD15P10P G-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:14 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SPD15P10PGBTMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1280pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 100V 15A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận