SPI11N60CFDHKSA1
SPI11N60CFDHKSA1
Số Phần:
SPI11N60CFDHKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12842 Pieces
Bảng dữliệu:
SPI11N60CFDHKSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SPI11N60CFDHKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPI11N60CFDHKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPI11N60CFDHKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 500µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO262-3-1
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:440 mOhm @ 7A, 10V
Điện cực phân tán (Max):125W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vài cái tên khác:SP000229994
SP000680990
SPI11N60CFD
SPI11N60CFD-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SPI11N60CFDHKSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:64nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận