Mua SPP07N65C3HKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
SPP07N65C3HKSA1
- Số Phần:
- SPP07N65C3HKSA1
- nhà chế tạo:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Sự miêu tả:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 16663 Pieces
- Bảng dữliệu:
- SPP07N65C3HKSA1.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho SPP07N65C3HKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPP07N65C3HKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 350µA |
|---|---|
| Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | PG-TO220-3-1 |
| Loạt: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Điện cực phân tán (Max): | 83W (Tc) |
| Bao bì: | Tube |
| Gói / Case: | TO-220-3 |
| Vài cái tên khác: | SP000014631 SPP07N65C3 SPP07N65C3-ND SPP07N65C3IN SPP07N65C3IN-ND SPP07N65C3X SPP07N65C3XK |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Số phần của nhà sản xuất: | SPP07N65C3HKSA1 |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 25V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| Loại FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Mô tả mở rộng: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 650V |
| Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho SPP07N65C3HKSA1
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
STP4NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220 | Tin nhắn của bạn |
 |
SPP07N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Tin nhắn của bạn |
 |
SPP07N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220 | Tin nhắn của bạn |
|
SPP07N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220AB | Tin nhắn của bạn |
|
SPP07N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Tin nhắn của bạn |
|
SPP07N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Tin nhắn của bạn |
|
SPP07N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB | Tin nhắn của bạn |
|
SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB | Tin nhắn của bạn |
 |
STD90N4F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | Tin nhắn của bạn |
 |
IPB80P04P4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | Tin nhắn của bạn |
 |
TK16C60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog