SPP11N60S5HKSA1
SPP11N60S5HKSA1
Số Phần:
SPP11N60S5HKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16303 Pieces
Bảng dữliệu:
SPP11N60S5HKSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SPP11N60S5HKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPP11N60S5HKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPP11N60S5HKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 500µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO220-3-1
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:380 mOhm @ 7A, 10V
Điện cực phân tán (Max):125W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:SPP11N60S5
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5IN-ND
SPP11N60S5X
SPP11N60S5XTIN
SPP11N60S5XTIN-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SPP11N60S5HKSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1460pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận