SPW11N60S5FKSA1
SPW11N60S5FKSA1
Số Phần:
SPW11N60S5FKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17436 Pieces
Bảng dữliệu:
SPW11N60S5FKSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SPW11N60S5FKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPW11N60S5FKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPW11N60S5FKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 500µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO247-3
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:380 mOhm @ 7A, 10V
Điện cực phân tán (Max):125W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Vài cái tên khác:SP000012462
SPW11N60S5
SPW11N60S5-ND
SPW11N60S5IN
SPW11N60S5IN-ND
SPW11N60S5X
SPW11N60S5XK
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SPW11N60S5FKSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1460pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận