SPW12N50C3FKSA1
SPW12N50C3FKSA1
Số Phần:
SPW12N50C3FKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13006 Pieces
Bảng dữliệu:
SPW12N50C3FKSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SPW12N50C3FKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPW12N50C3FKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPW12N50C3FKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 500µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO247-3
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:380 mOhm @ 7A, 10V
Điện cực phân tán (Max):125W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Vài cái tên khác:SP000014469
SPW12N50C3
SPW12N50C3IN
SPW12N50C3IN-ND
SPW12N50C3X
SPW12N50C3XK
SPW12N50C3XTIN
SPW12N50C3XTIN-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SPW12N50C3FKSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 560V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):560V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:11.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận