Mua SQJ570EP-T1_GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
SQJ570EP-T1_GE3
- Số Phần:
- SQJ570EP-T1_GE3
- nhà chế tạo:
- Vishay / Siliconix
- Sự miêu tả:
- MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 12174 Pieces
- Bảng dữliệu:
- SQJ570EP-T1_GE3.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho SQJ570EP-T1_GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SQJ570EP-T1_GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Loạt: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V |
| Power - Max: | 27W |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vài cái tên khác: | SQJ570EP-T1_GE3TR |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 13 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | SQJ570EP-T1_GE3 |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 25V, 600pF @ 25V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| Loại FET: | N and P-Channel |
| FET Feature: | Standard |
| Mô tả mở rộng: | Mosfet Array N and P-Channel 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 100V |
| Sự miêu tả: | MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8 |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc), 9.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho SQJ570EP-T1_GE3
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2029USD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO | Tin nhắn của bạn |
 |
SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | Tin nhắn của bạn |
 |
TPS1120D | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | Tin nhắn của bạn |
 |
ECH8672-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A ECH8 | Tin nhắn của bạn |
 |
BUK9K5R1-30EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK | Tin nhắn của bạn |
 |
NTLJD4116NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | Tin nhắn của bạn |
 |
SI7270DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 | Tin nhắn của bạn |
 |
ALD111933SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | Tin nhắn của bạn |
 |
SI4944DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC | Tin nhắn của bạn |
|
ALD114804SCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC | Tin nhắn của bạn |
 |
SI5517DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | Tin nhắn của bạn |
|
SI4923DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog