SQJ941EP-T1-GE3
SQJ941EP-T1-GE3
Số Phần:
SQJ941EP-T1-GE3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17275 Pieces
Bảng dữliệu:
SQJ941EP-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SQJ941EP-T1-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SQJ941EP-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SQJ941EP-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:PowerPAK® SO-8 Dual
Loạt:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:24 mOhm @ 9A, 10V
Power - Max:55W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:PowerPAK® SO-8 Dual
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SQJ941EP-T1-GE3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Loại FET:2 P-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 55W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận