SSM3J16CT(TPL3)
SSM3J16CT(TPL3)
Số Phần:
SSM3J16CT(TPL3)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12380 Pieces
Bảng dữliệu:
SSM3J16CT(TPL3).pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SSM3J16CT(TPL3), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SSM3J16CT(TPL3) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SSM3J16CT(TPL3) với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.1V @ 100µA
Vgs (Tối đa):±10V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:CST3
Loạt:π-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, VGS:8 Ohm @ 10mA, 4V
Điện cực phân tán (Max):100mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-101, SOT-883
Vài cái tên khác:SSM3J16CT(TPL3)TR
SSM3J16CTTPL3
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SSM3J16CT(TPL3)
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:11pF @ 3V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:-
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận