SSM3J327R,LF
SSM3J327R,LF
Số Phần:
SSM3J327R,LF
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15372 Pieces
Bảng dữliệu:
SSM3J327R,LF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SSM3J327R,LF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SSM3J327R,LF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SSM3J327R,LF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±8V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23F
Loạt:U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, VGS:93 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):1W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-23-3 Flat Leads
Vài cái tên khác:SSM3J327R,LF(B
SSM3J327R,LF(T
SSM3J327RLF
SSM3J327RLFTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SSM3J327R,LF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:4.6nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 3.9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3.9A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận