SSM3K15ACT(TPL3)
SSM3K15ACT(TPL3)
Số Phần:
SSM3K15ACT(TPL3)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19404 Pieces
Bảng dữliệu:
SSM3K15ACT(TPL3).pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SSM3K15ACT(TPL3), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SSM3K15ACT(TPL3) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SSM3K15ACT(TPL3) với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 100µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:CST3
Loạt:U-MOSIII
Rds On (Max) @ Id, VGS:3.6 Ohm @ 10mA, 4V
Điện cực phân tán (Max):100mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-101, SOT-883
Vài cái tên khác:SSM3K15ACT(TPL3)TR
SSM3K15ACTTPL3
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SSM3K15ACT(TPL3)
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:13.5pF @ 3V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:-
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận