STD11N60M2-EP
STD11N60M2-EP
Số Phần:
STD11N60M2-EP
nhà chế tạo:
ST
Sự miêu tả:
N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15761 Pieces
Bảng dữliệu:
STD11N60M2-EP.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho STD11N60M2-EP, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho STD11N60M2-EP qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua STD11N60M2-EP với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±25V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK
Loạt:MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, VGS:595 mOhm @ 3.75A, 10V
Điện cực phân tán (Max):85W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:497-16936-2
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:26 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:STD11N60M2-EP
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:390pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:12.4nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:7.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận