STD1HNC60T4
STD1HNC60T4
Số Phần:
STD1HNC60T4
nhà chế tạo:
ST
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
18391 Pieces
Bảng dữliệu:
STD1HNC60T4.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho STD1HNC60T4, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho STD1HNC60T4 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua STD1HNC60T4 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-Pak
Loạt:PowerMESH™ II
Rds On (Max) @ Id, VGS:5 Ohm @ 1A, 10V
Điện cực phân tán (Max):50W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:497-2485-2
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:STD1HNC60T4
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:228pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:15.5nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 2A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận