STG3P2M10N60B - STMicroelectronics - Transitor - IGBTs - Các mô-đun STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B

Số Phần:: STG3P2M10N60B

nhà chế tạo:: ST

Sự miêu tả:: IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 18031 Pieces

Bảng dữliệu:: STG3P2M10N60B.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho STG3P2M10N60B, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho STG3P2M10N60B qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua STG3P2M10N60B với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	600V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:	2.5V @ 15V, 7A
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SEMITOP®2
Loạt:	SEMITOP®
Power - Max:	56W
Gói / Case:	SEMITOP®2
Vài cái tên khác:	497-5216
Nhiệt độ hoạt động:	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:	No
gắn Loại:	Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	STG3P2M10N60B
Input Điện dung (Cies) @ VCE:	0.72nF @ 25V
Đầu vào:	Single Phase Bridge Rectifier
Loại IGBT:	-
Mô tả mở rộng:	IGBT Module Three Phase Inverter 600V 19A 56W Chassis Mount SEMITOP®2
Sự miêu tả:	IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	10µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	19A
Cấu hình:	Three Phase Inverter
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho STG3P2M10N60B

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
APTGT200A120D3G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3	Tin nhắn của bạn
STGE50NB60HD	STMicroelectronics	IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP	Tin nhắn của bạn
APTGT300TL60G	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT 3LVL INVERT SP6	Tin nhắn của bạn
CM200RX-12A	Powerex Inc.	IGBT MOD 7PAC 600V 200A NX SER	Tin nhắn của bạn
APT60GA60JD60	Microsemi Corporation	IGBT 600V 112A 356W SOT-227	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức