STW11NB80
STW11NB80
Số Phần:
STW11NB80
nhà chế tạo:
ST
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
12532 Pieces
Bảng dữliệu:
STW11NB80.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho STW11NB80, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho STW11NB80 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua STW11NB80 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247-3
Loạt:PowerMESH™
Rds On (Max) @ Id, VGS:800 mOhm @ 5.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):190W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Vài cái tên khác:497-2789-5
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:STW11NB80
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2900pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 800V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):800V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận