SVD5806NT4G
SVD5806NT4G
Số Phần:
SVD5806NT4G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 40V DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18203 Pieces
Bảng dữliệu:
SVD5806NT4G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SVD5806NT4G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SVD5806NT4G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SVD5806NT4G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:19 mOhm @ 15A, 10V
Điện cực phân tán (Max):40W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:NVD5806NT4G
NVD5806NT4G-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:26 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SVD5806NT4G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:860pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 40V 33A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount DPAK
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 40V DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:33A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận